Исследователи из Института микроэлектроники Китайской академии наук разработали предварительный техпроцесс для транзисторов класса 3 нм, используя только доступное оборудование глубокого ультрафиолета (DUV). Об этом изданию South China Morning Post рассказал главный инженер института Е Тяньчунь. В основе метода лежит архитектура с круговым затвором (GAA), где затвор окружает канал тока со всех сторон и точнее его … Continue reading Китайские учёные нашли способ делать чипы уровня 3 нм без EUV-литографов
The post Китайские учёные нашли способ делать чипы уровня 3 нм без EUV-литографов first appeared on Droider.ru.