Ученые решили одну из проблем сверхтонких транзисторов на дисульфиде молибдена Тайваньские исследователи разработали сверхтонкий буферный слой, который может решить одну из главных проблем транзисторов на основе двумерных полупроводников. Прослойка из оксида алюминия имеет толщину около 0,42 нм — всего несколько атомов — и позволяет разместить изолятор максимально близко к проводящему каналу. Изображение сгенерировано Gemini // […]