Потенциально частоту нового транзистора можно довести до 1 ТГц Китайские ученые сообщили о создании нового типа транзистора, который может стать важным шагом на пути к электронике следующего поколения. Исследователи из Института металлов Китайской академии наук совместно с рядом научных центров страны разработали первый в мире кремний-графен-германиевый барьерный транзистор с очень высокой частотой. Изображение сгенерировано Grok […]